Samsung выпустит самую быструю флеш-память

Компания Samsung в ближайшее время начнет выпуск в широкие массы инновационной многослойной флеш-памяти V-NAND пятого поколения.

Она отличается большой скоростью передачи данных — 1,4 гигабит в секунду. Для сравнения: ее предшественник имел скорость на 40% ниже. В новой технологии впервые будет использован интерфейс Toggle DDR 4.0
Кроме того, новая флеш-память отличается высокой скоростью записи данных.

Информацию на нее можно записать всего за пятьсот микросекунд.
Новый флеш-модуль состоит из 90 слоев памяти, тогда как предыдущий насчитывал всего 64. Ячейки памяти в данной модели созданы с помощью технологии 3D charge trap flash, а продуктивность новинки выросла на 30%.

V-NAND это память премиум- сегмента. По словам вице-президента департамента флеш-памяти и технологии Samsung Ке Хён Кёнга, в скором времени компания также планирует выпустить 1-терабитные и четырехуровневые QLC-чипы, которые будут являться дополнением к V-NAND.

В настоящее время Samsung имеет лидирующие позиции в разработке устройств с высокой плотностью записи, которые используются при создании смартфонов премиум-класса, суперкомпьютеров и промышленных серверов.